朗科闪存新品读写速度倍增

2009年 8月 21日 阅读量: 108

  朗科公司日前发布融合了三大加速技术的闪存盘U217,独家采用了朗科双通道技术,其连续读写速度提高到32MB/秒、21MB/秒,随机读 写速度提高到32MB/秒、12MB/秒,其中随机读写速度是全球著名品牌同类产品的4倍左右。

  “一款32GB的闪存盘如果用去年行业平均读写速度10MB/秒来存储,累计需要一个小时;而如果采用朗科U217,只需十几分钟。”业内人士 表示,闪存容量的大幅攀升,对读写速度提出了更高要求。朗科三大闪存技术主要通过“闪存芯片的控制加速、双通道倍速和Nspeed提速技术”3种方法来实 现速度的显著提升。