8月12日消息,合作闪存芯片业务的英特尔及美光(Micron Technology Inc.)周二宣布,将投入开发高容量的3-bit-per-cell(x3)NAND闪存芯片,用于U盘等设备。

  这项使用34奈米制程的x3多层单元(MLC)NAND技术,较目前一般标准的2-bits-per-cell(x2)技术压缩更多容量。不过 美光表示,由于新技术尚有耐久性问题,因此初步仅使用于闪存记忆卡及U盘等产品,而无法用于固态硬盘(SSD);但已可容许使用32GB的芯片。

  美光目前正在就新技术产品芯片进行测试,于第4季起即可量产。

  消息显示,代表芯片业界对于开发x3NAND芯片的竞争,正逐渐加温。由于内存业遭遇需求下滑危机,因此这项技术发展将是NAND产业下一步关键。

  SanDisk及合作伙伴东芝(Toshiba)去年已计划使用56奈米制程,量产全球首创商业x3NAND内存芯片。而今年稍早,二公司也提出x3及4-bit-per-cell(x4)NAND闪存的开发计划,随后以43奈米制程生产的x3NAND也已出货。

  研究公司Objective-Analysis分析师JimHandy指出,业界正就谁能率先以次40奈米制程生产出x3NAND芯片,展开激烈竞争,因该技术降低成本,能让成功者在获利上胜出。

  除了上述二个合作团队以外,据传韩国的海力士(Hynix)及三星(Samsung),也分别计划投入x3NAND生产行列。

  不过有报道指出,由于x3技术控制器质量仍有问题,LazardCapitalMarkets分析师表示东芝的x3NAND芯片滞销。尽管如 此,新帝及东芝近期仍宣布将以次35奈米CMOS(互补式金氧半导体)制程,生产32GB的x3芯片。此外东芝也已以43奈米制程,生产全球首创64GB 的x4芯片。